Транзисторы средней мощности У23.365.007

Транзистор средней мощности У23.365.007 представляет собой электронное устройство, предназначенное для использования в структуре гибридно-интегральных схем герметизированного типа. Эти схемы необходимы для преобразования, генерирования и усиления сигналов в частотном диапазоне от 8 до 12 ГГц.

Особенности исполнения

Транзисторы представляют собой беcкорпусные эпитаксиально-планарные системы, построенные на кристалле арсенида галлия. Они владеют барьером Шоттки, каналом n-типа проводимости и отличаются средней мощностью. В зависимости от величины показателя выходной мощности транзисторы производятся трех модификаций: ХХХ.01, 02 или 03. Транзисторы рассчитаны для использования при температурах внешней среды не ниже -60ºС и не выше +85ºС.

Конструкция и монтаж

Конструкционно транзистор включает в свой состав контактные площадки стока и истока, а также коммутационную площадку затвора. Контактные площадки производятся из анодного золота (зл.999,9), их толщина составляет не более 0,7 мкм. В качестве защитного покрытия рабочей области применяется влагоустойчивый диэлектрический лак АД9103.

Монтаж транзистора может проводиться двумя способами – пайкой или приклеиванием. Обратная сторона кристалла прикладывается к основанию схемы, а проволочные выводы привариваются к коммутационным площадкам электродов. Для пайки следует придерживаться температурного режима в 300ºС, а ее продолжительность не более 3 сек. Приварка выводов производится с помощью УЗ или термокомпрессионной при Т=300ºС. В качестве соединительных проводников применяется золотая проволока с диаметром 15÷30 мкм.