Малошумящие транзисторы АП-355 А...Д

Малошумящие транзисторы АП-355 А...Д – это бескорпусные электронные системы, созданные на основе GaAs с применением эпитаксиально-планарной технологии. Транзисторы владеют барьером Шоттки и n-проводным каналом.

Область применения

Транзисторы АП-355 используются для построения герметизированных электронных схем, применяемых для создания преобразователей и усилителей для спутниковой и наземной аппаратуры. Эта аппаратура применяется для передачи теле- и радиосигналов в интервале частот от 6 до 10 ГГц.

Особенности конструкции

Транзистор АП-355 включает в свой состав три типа контактных площадок – стока, затвора и истока. Для обеспечения надежной защиты активной рабочей области применяется специальный лак типа АД9103. Для выполнения контактных площадок используется анодное золото, которое наносится толщиной не более 0,7 мкм. Толщина получаемого транзисторного чипа составляет 120 мкм. Для монтажа транзистора в электронную схему применяется пайка или приклеивание обратной стороны чипа с последующей приваркой контактных выводов. Пайка или приваривание должны осуществляться при температурном режиме, не превышающем +300ºС, а длительность этого процесса не может быть больше 3 секунд. В качестве соединительных проводников используется проволока из золота – ее диаметр составляет 15-30 мкм.

Предельно допустимые электрические режимы

Транзисторы АП-355 рассчитаны для эксплуатации при температурах от -60ºС до +85ºС.